IRFR3707ZTRPBF厂家价格_数据手册

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自营现货库存

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	IRFR3707ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.786454 +10：￥2.731818 +30：￥2.688108	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFR3707ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.31231 +100：￥2.25302	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFR3707ZTRPBF 授权代理品牌	IRFR3707ZTRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.429435 +25：￥1.393665 +50：￥1.35801 +100：￥1.32224 +150：￥1.298392	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFR3707ZTRPBF 授权代理品牌	IRFR3707ZTRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥0.847382 +1000：￥0.799109 +1500：￥0.752225	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IRFR3707ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFR3707ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥2.463962 +6000：￥2.334234 +10000：￥2.161312	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFR3707ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥4.264807 +6000：￥4.040264 +10000：￥3.740958	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR3707ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.214647 +10：￥9.731821 +100：￥6.733774 +500：￥5.626514 +1000：￥4.788406	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
IRFR3707ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.214647 +10：￥9.731821 +100：￥6.733774 +500：￥5.626514 +1000：￥4.788406	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak

Mouser

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	IRFR3707ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 56A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥14.100141 +10：￥11.692028 +100：￥8.444242 +500：￥6.796586 +1000：￥6.0995	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFR3707ZTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9.5 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.25V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	14 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1150 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	50W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）