IPA80R280P7XKSA1厂家价格_数据手册

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	IPA80R280P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 17A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥21.39291	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 360µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1200 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-31 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPA80R280P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 17A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.613868 +10：￥22.082984 +100：￥18.092063 +500：￥15.463301	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 360µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1200 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-31 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPA80R280P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 17A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥60.212044 +10：￥54.020831 +100：￥44.257978 +500：￥37.827331	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 360µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1200 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-31 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPA80R280P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3F 下载数据手册未分类	+1：￥60.276623 +50：￥30.771675 +100：￥27.90777 +500：￥22.890125 +1000：￥21.27826	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 280mOhm @ 7.2A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 360µA Supplier Device Package： PG-TO220-3-31 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1200 pF @ 500 V

Mouser

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	IPA80R280P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 17A TO220 下载数据手册晶体管	+1：￥56.879324 +10：￥52.899429 +25：￥33.331616 +100：￥30.346694 +500：￥24.708511	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 360µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1200 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-31 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPA80R280P7XKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+500：￥23.034197	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPA80R280P7XKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+500：￥21.018779 +1000：￥20.894957	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPA80R280P7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥24.297072 +10：￥22.167449 +50：￥15.488175 +100：￥14.713765	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPA80R280P7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+50：￥17.109281 +200：￥16.53897 +500：￥16.310847 +1250：￥15.968662 +2000：￥15.512415	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPA80R280P7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道MOS管, Vds=800 V, 17 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚下载数据手册未分类	+1：￥25.51235 +10：￥24.899072 +100：￥24.310326 +250：￥23.709313 +500：￥23.145098	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA80R280P7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	280 毫欧 7.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 360µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1200 pF 500 V
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	30W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3-31
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）