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搜索 IRFP448PBF 共 6 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP448PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) IRFP448PBF TO-247AC-3 下载数据手册未分类	+1：￥137.533561 +10：￥114.611321 +30：￥91.68896 +100：￥76.407507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP448PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	N沟道 500V 11A 下载数据手册未分类	+1：￥65.065527 +10：￥57.839525 +30：￥53.428303 +100：￥49.741782	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 500V 连续漏极电流(Id)： 11A 功率(Pd)： 180W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 600mΩ@10V,6.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250μA

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP448PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥18.842741	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 84 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP448PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥46.094338	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 84 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP448PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥87.386108 +10：￥73.365203 +25：￥57.71396 +100：￥52.007778 +250：￥50.214406	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 84 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP448PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC 下载数据手册未分类	+500：￥34.07334 +1000：￥30.919797 +2500：￥30.341858 +5000：￥30.153399	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFP448PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	600 毫欧 6.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	84 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1900 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	180W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AC
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）