IRFPE30PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPE30PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) IRFPE30PBF TO-247AC-3 下载数据手册未分类	+1：￥204.55776 +10：￥170.4648 +30：￥136.37184 +100：￥113.6432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPE30PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	N沟道 800V 4.1A 下载数据手册未分类	+1：￥93.275177 +10：￥89.712887 +30：￥83.538979 +100：￥76.97169	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 800V 连续漏极电流(Id)： 4.1A 功率(Pd)： 125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3Ω@10V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250μA
	IRFPE30PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.068705 +10：￥12.905106 +25：￥11.550124 +100：￥10.151434 +500：￥9.528579	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPE30PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥69.624247	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPE30PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥19.254896	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPE30PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥47.102578	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFPE30PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥57.522737 +10：￥48.343577 +100：￥39.103223 +500：￥38.246501	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3Ohm @ 2.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1300 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPE30PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥60.527764 +10：￥52.40212 +25：￥51.075483 +100：￥42.45235 +500：￥41.457372	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPE30PBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC 下载数据手册未分类	+1：￥54.419925 +10：￥47.222751 +25：￥45.674972 +100：￥38.028942 +500：￥37.765818	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPE30PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC 下载数据手册未分类	+3：￥27.465913 +10：￥26.465369 +25：￥26.080544 +100：￥25.831369	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFPE30PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3 欧姆 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	78 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1300 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AC
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）