IPD30N03S4L09ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPD30N03S4L09ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.120124 +10：￥4.746709 +30：￥3.955611	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1520 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPD30N03S4L09ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.785215 +30：￥9.998452	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1520 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD30N03S4L09ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.335607	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1520 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD30N03S4L09ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1520 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD30N03S4L09ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.130452 +5000：￥2.029016 +12500：￥1.935347 +25000：￥1.931638	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1520 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPD30N03S4L09ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.211652 +5000：￥4.963512 +12500：￥4.734372 +25000：￥4.725297	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1520 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD30N03S4L09ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.619695 +10：￥10.308449 +100：￥8.018469 +500：￥6.796202 +1000：￥5.536218	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD30N03S4L09ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.619695 +10：￥10.308449 +100：￥8.018469 +500：￥6.796202 +1000：￥5.536218	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

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	IPD30N03S4L09ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1520 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPD30N03S4L09ATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥7.701669 +10：￥7.206286 +25：￥7.156747 +100：￥6.546807 +250：￥6.481787	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD30N03S4L09ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 13µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1520 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	42W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3-11
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）