IPD50N04S4L08ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPD50N04S4L08ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.421786 +10：￥8.008506 +30：￥6.595226 +100：￥5.888586 +500：￥5.417533	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.3 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 17µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： +20V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD50N04S4L08ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.923854 +5000：￥2.777669 +12500：￥2.673252	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.3 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 17µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： +20V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD50N04S4L08ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.152521 +5000：￥6.794916 +12500：￥6.539482	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.3 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 17µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： +20V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD50N04S4L08ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.844727 +10：￥15.077413 +100：￥11.749888 +500：￥9.706981 +1000：￥7.663384	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-313
IPD50N04S4L08ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.844727 +10：￥15.077413 +100：￥11.749888 +500：￥9.706981 +1000：￥7.663384	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-313

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD50N04S4L08ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 下载数据手册晶体管	+1：￥19.919968 +10：￥17.960626 +100：￥13.894993 +500：￥11.478473 +1000：￥9.061953	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.3 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 17µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： +20V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD50N04S4L08ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥4.775967	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD50N04S4L08ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.3 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 17µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	30 nC 10 V
Vgs（最大值）:	+20V，-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2340 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	46W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3-313
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）