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IRFI740GLCPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRFI740GLCPBF
Vishay(威世)
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品牌： Vishay Siliconix

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550mOhm 3.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 40W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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IRFI740GLCPBF_未分类
IRFI740GLCPBF
授权代理品牌

IRFI740GLCPBF VBSEMI/微碧半导体

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未分类
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IRFI740GLCPBF
Vishay(威世)
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国内：1~2 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550mOhm 3.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 40W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营 国内现货
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IRFI740GLCPBF
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550mOhm 3.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 40W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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IRFI740GLCPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRFI740GLCPBF
Vishay(威世)
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货期：7~10 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550mOhm 3.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 40W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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IRFI740GLCPBF
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MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220-3

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货期：7~10 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550mOhm 3.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 40W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

温度： -55°C # 150°C (TJ)

艾睿
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IRFI740GLCPBF
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 400V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

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未分类
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￥21.653618

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货期：7~10 天

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IRFI740GLCPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: Tube
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）: 400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.7A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 550mOhm 3.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 39 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1100 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 40W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
温度: -55°C # 150°C (TJ)