 | IRF3415STRLPBF | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK 未分类 | | | 品牌: Infineon Technologies 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: HEXFET® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 43A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 42 毫欧 22A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 200 nC 10 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2400 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),200W(Tc) 工作温度: -55°C # 175°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK 封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 温度: -55°C # 175°C(TJ) |
 | IRF3415STRLPBF | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK 未分类 | | | 品牌: Infineon Technologies 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: HEXFET® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 43A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 42 毫欧 22A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 200 nC 10 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2400 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),200W(Tc) 工作温度: -55°C # 175°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK 封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 温度: -55°C # 175°C(TJ) |
 | IRF3415STRLPBF | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK 未分类 | | | 品牌: Infineon Technologies 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: HEXFET® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 43A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 42 毫欧 22A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 200 nC 10 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2400 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),200W(Tc) 工作温度: -55°C # 175°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK 封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 温度: -55°C # 175°C(TJ) |
 | IRF3415STRLPBF | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK 未分类 | | | 品牌: Infineon Technologies 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: HEXFET® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 43A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 42 毫欧 22A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 200 nC 10 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2400 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),200W(Tc) 工作温度: -55°C # 175°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK 封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 温度: -55°C # 175°C(TJ) |
 | IRF3415STRLPBF | | | | 品牌: Infineon Technologies 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: HEXFET® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 43A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 42 毫欧 22A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 200 nC 10 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2400 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),200W(Tc) 工作温度: -55°C # 175°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK 封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 温度: -55°C # 175°C(TJ) |
 | IRF3415STRLPBF | | | | 品牌: Infineon Technologies 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: HEXFET® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 43A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 42 毫欧 22A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 200 nC 10 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2400 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),200W(Tc) 工作温度: -55°C # 175°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK 封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 温度: -55°C # 175°C(TJ) |
 | IRF3415STRLPBF | | | | 品牌: Infineon Technologies 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: HEXFET® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 43A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 42 毫欧 22A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 200 nC 10 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2400 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),200W(Tc) 工作温度: -55°C # 175°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK 封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 温度: -55°C # 175°C(TJ) |