IPB60R099P7ATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB60R099P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.3444	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 10.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 530µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1952 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 117W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB60R099P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥14.447727 +2000：￥13.725332	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 10.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 530µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1952 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 117W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB60R099P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥35.342969 +2000：￥33.5758	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 10.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 530µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1952 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 117W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPB60R099P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥66.918114 +10：￥60.08054 +100：￥49.22788 +500：￥41.906641	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
IPB60R099P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥66.918114 +10：￥60.08054 +100：￥49.22788 +500：￥41.906641	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB60R099P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO263-3 下载数据手册晶体管	+1：￥67.781368 +10：￥56.838351 +25：￥53.735108 +100：￥46.058664 +250：￥43.445407	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 10.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 530µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1952 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 117W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB60R099P7ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥68.938208 +10：￥62.078309 +25：￥60.357053 +100：￥50.670274 +250：￥48.320821	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB60R099P7ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	99 毫欧 10.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 530µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	45 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1952 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	117W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）