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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH7004TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥18.50904 +100：￥13.709808 +300：￥10.58112 +500：￥9.069408 +1000：￥8.23536	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 194 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6419 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-VQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFH7004TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥9.379008 +1000：￥7.958016 +4000：￥5.684256	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 194 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6419 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-VQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH7004TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥8.507357 +10：￥7.152482 +30：￥6.406775 +100：￥5.566542 +500：￥5.188438	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 194 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6419 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-VQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH7004TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.41125	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 194 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6419 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-VQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFH7004TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥6.661727	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 194 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6419 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-VQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH7004TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥11.511442	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 194 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6419 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-VQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH7004TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.336467 +10：￥20.91774 +100：￥16.813195 +500：￥13.81373 +1000：￥11.511442	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-VQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
IRFH7004TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.336467 +10：￥20.91774 +100：￥16.813195 +500：￥13.81373 +1000：￥11.511442	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-VQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
IRFH7004TRPBF International 授权代理品牌	IRFH7004 - 12V-300V N-CHANNEL PO 下载数据手册未分类	+1：￥12.15441	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.4mOhm @ 100A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.9V @ 150µA Supplier Device Package： 8-PQFN (5x6) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 194 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6419 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH7004TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥25.008399 +10：￥22.950746 +100：￥19.152002 +500：￥15.748961 +1000：￥13.042355	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 194 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6419 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-VQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFH7004TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.4 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	194 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6419 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	156W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-VQFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 150°C（TJ）