IPB011N04LGATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB011N04LGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥58.789786 +10：￥49.971306 +30：￥41.152826 +100：￥36.743586 +500：￥33.804133	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 346 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 29000 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPB011N04LGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥68.350074 +10：￥60.012567 +30：￥54.931386 +100：￥50.669751	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 346 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 29000 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB011N04LGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥48.018971	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 346 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 29000 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB011N04LGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥14.005553	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 346 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 29000 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB011N04LGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥34.261295	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 346 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 29000 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB011N04LGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥73.127476 +10：￥51.066844 +100：￥37.962034 +500：￥34.261295	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装： PG-TO263-7-3
IPB011N04LGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥73.127476 +10：￥51.066844 +100：￥37.962034 +500：￥34.261295	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装： PG-TO263-7-3

Mouser

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	IPB011N04LGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管	+1：￥58.869272 +10：￥46.100443 +25：￥45.768785 +100：￥37.14568 +1000：￥36.979851	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 346 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 29000 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB011N04LGATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥45.518041	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥39.731374 +10：￥35.567861 +25：￥34.917795 +100：￥30.69237 +250：￥30.398293	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB011N04LGATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.1 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	346 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	29000 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	250W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-7-3
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）