IPD70R360P7SAUMA1厂家价格_数据手册

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	IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.584016 +5000：￥3.584016 +7500：￥3.584016	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.135817 +10：￥4.228853 +30：￥3.769908 +100：￥3.32189	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.663098	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.167682	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.724268 +100：￥3.922034 +1250：￥3.565485 +2500：￥3.310808 +37500：￥3.298074	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.825531 +7500：￥2.778416 +12500：￥2.731301 +25000：￥2.684301	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥5.527428 +4000：￥5.432966	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.108107 +7500：￥3.056246 +12500：￥3.004384 +25000：￥2.952754	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥7.051968 +100：￥5.854464 +1250：￥5.32224	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.876066 +5000：￥2.739129 +12500：￥2.612718 +25000：￥2.607671	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IPD70R360P7SAUMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	360 毫欧 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	517 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	59.4W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-40°C # 150°C（TJ）

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IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.167682	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.724268 +100：￥3.922034 +1250：￥3.565485 +2500：￥3.310808 +37500：￥3.298074	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.825531 +7500：￥2.778416 +12500：￥2.731301 +25000：￥2.684301	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥5.527428 +4000：￥5.432966	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.108107 +7500：￥3.056246 +12500：￥3.004384 +25000：￥2.952754	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）