IRF1018ESTRLPBF厂家价格_数据手册

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	IRF1018ESTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.073445 +10：￥11.992995 +30：￥11.776905 +100：￥11.128635	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.4 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2290 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF1018ESTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥13.068 +100：￥8.837356 +400：￥6.487052 +800：￥4.700729 +1600：￥4.465747	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.4 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2290 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF1018ESTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK 下载数据手册	+1：￥5.389372 +10：￥4.646742 +30：￥4.275427 +100：￥3.988984 +500：￥3.734368	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.4 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2290 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF1018ESTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.1148	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.4 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2290 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF1018ESTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥5.039443 +1600：￥4.105118 +2400：￥3.864453 +5600：￥3.680456	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.4 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2290 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF1018ESTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥12.327812 +1600：￥10.042206 +2400：￥9.453475 +5600：￥9.003372	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.4 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2290 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF1018ESTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.818979 +10：￥18.697301 +100：￥14.544247	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
IRF1018ESTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.818979 +10：￥18.697301 +100：￥14.544247	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF1018ESTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥25.270236 +10：￥20.868325 +100：￥16.058828 +500：￥13.613321 +800：￥10.401556	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.4 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2290 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥10.398138 +10：￥9.874962 +25：￥9.77998 +100：￥9.113552 +250：￥8.98743	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF1018ESTRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	79A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.4 毫欧 47A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	69 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2290 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	110W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）