锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 IRF1018ESTRLPBF10 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF1018ESTRLPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥13.073445

+10:

¥11.992995

+30:

¥11.776905

+100:

¥11.128635

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 79A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.4 毫欧 47A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 69 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2290 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 110W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF1018ESTRLPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRF1018ESTRLPBF
授权代理品牌
+10:

¥13.068

+100:

¥8.837356

+400:

¥6.487052

+800:

¥4.700729

+1600:

¥4.465747

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 79A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.4 毫欧 47A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 69 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2290 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 110W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF1018ESTRLPBF_null
IRF1018ESTRLPBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK

+1:

¥5.389372

+10:

¥4.646742

+30:

¥4.275427

+100:

¥3.988984

+500:

¥3.734368

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 79A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.4 毫欧 47A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 69 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2290 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 110W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF1018ESTRLPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥7.1148

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 79A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.4 毫欧 47A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 69 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2290 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 110W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF1018ESTRLPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+800:

¥5.039443

+1600:

¥4.105118

+2400:

¥3.864453

+5600:

¥3.680456

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 79A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.4 毫欧 47A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 69 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2290 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 110W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF1018ESTRLPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+800:

¥12.327812

+1600:

¥10.042206

+2400:

¥9.453475

+5600:

¥9.003372

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 79A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.4 毫欧 47A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 69 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2290 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 110W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

IRF1018ESTRLPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥22.818979

+10:

¥18.697301

+100:

¥14.544247

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

IRF1018ESTRLPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥22.818979

+10:

¥18.697301

+100:

¥14.544247

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF1018ESTRLPBF_未分类
IRF1018ESTRLPBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK

未分类

+1:

¥25.270236

+10:

¥20.868325

+100:

¥16.058828

+500:

¥13.613321

+800:

¥10.401556

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 79A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.4 毫欧 47A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 69 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2290 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 110W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF1018ESTRLPBF_未分类
IRF1018ESTRLPBF
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

未分类

+1:

¥10.398138

+10:

¥9.874962

+25:

¥9.77998

+100:

¥9.113552

+250:

¥8.98743

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IRF1018ESTRLPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 79A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.4 毫欧 47A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 69 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2290 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 110W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 175°C(TJ)