IPT015N10N5ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPT015N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥11.260139 +10000：￥10.134113	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 211 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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IPT015N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册未分类	+1：￥79.046214 +10：￥70.690233 +100：￥57.920301 +500：￥52.00446	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 211 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPT015N10N5ATMA1 授权代理品牌	IPT015N10N5ATMA1 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+2000：￥25.0047 +4000：￥24.587955 +6000：￥24.17121 +8000：￥23.754465	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IPT015N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.576176	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 211 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPT015N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥27.627415 +6000：￥27.166913 +10000：￥26.706524 +20000：￥26.246022	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 211 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPT015N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 211 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPT015N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥21.267277	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 211 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPT015N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥52.025394	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 211 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPT015N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥97.869977 +10：￥83.896717 +100：￥69.914884 +500：￥61.690375 +1000：￥55.521283	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-1
IPT015N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥97.869977 +10：￥83.896717 +100：￥69.914884 +500：￥61.690375 +1000：￥55.521283	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-1

IPT015N10N5ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.5 毫欧 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	211 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	16000 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	375W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HSOF-8-1
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPT015N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册未分类	+1：￥79.046214 +10：￥70.690233 +100：￥57.920301 +500：￥52.00446	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 211 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPT015N10N5ATMA1 授权代理品牌	IPT015N10N5ATMA1 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+2000：￥25.0047 +4000：￥24.587955 +6000：￥24.17121 +8000：￥23.754465	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IPT015N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.576176	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 211 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPT015N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥27.627415 +6000：￥27.166913 +10000：￥26.706524 +20000：￥26.246022	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 211 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）