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搜索 IRFR320TRPBF24 条相关记录
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IRFR320TRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFR320TRPBF
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¥6.643505

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¥4.49273

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¥3.297855

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¥2.38975

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¥2.270323

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8 欧姆 1.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRFR320TRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFR320TRPBF
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8 欧姆 1.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRFR320TRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFR320TRPBF
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¥2.489472

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品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8 欧姆 1.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)

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安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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IRFR320TRPBF
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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系列:

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8 欧姆 1.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRFR320TRPBF_未分类
IRFR320TRPBF
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IRFR320TRPBF VBSEMI/微碧半导体

未分类

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¥2.295802

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库存: 1000 +

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暂无参数
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8 欧姆 1.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

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封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRFR320TRPBF VBSEMI/微碧半导体

未分类

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+1859:

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¥2.755032

+2809:

¥2.678513

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
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IRFR320TRPBF
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¥4.675879

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+500:

¥4.06801

+1000:

¥3.734267

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¥3.701737

库存: 1000 +

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品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8 欧姆 1.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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库存: 1000 +

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品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8 欧姆 1.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

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封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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自营 国内现货
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¥3.017746

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国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8 欧姆 1.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRFR320TRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8 欧姆 1.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 150°C(TJ)