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	IRFI4229PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥53.604936 +10：￥35.736624 +50：￥29.78052	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFI4229PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥61.7487 +200：￥23.902723 +500：￥23.058333 +1000：￥22.646963	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IRFI4229PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.00452	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IRFI4229PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥12.21989 +500：￥12.009202 +1000：￥11.798514 +3000：￥11.587826	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFI4229PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.201278 +50：￥16.815009 +100：￥14.413366	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IRFI4229PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥51.863944 +50：￥41.133967 +100：￥35.258911	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IRFI4229PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB 下载数据手册晶体管	+1：￥59.28828 +10：￥49.815221 +25：￥45.732007 +100：￥38.872206 +250：￥37.728905	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IRFI4229PBF Infineon Technologies 授权代理品牌	IRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com 下载数据手册未分类	+1：￥25.987754 +10：￥24.131487 +25：￥23.897504 +100：￥23.679119	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFI4229PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	46 毫欧 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4480 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	46W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-40°C # 150°C（TJ）