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	IRF7726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.93235 +300：￥7.3931 +1000：￥5.42685 +4000：￥3.9325 +8000：￥3.735875	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2204 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.79W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro8™ 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF7726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2204 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.79W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro8™ 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.66805	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2204 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.79W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro8™ 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRF7726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 下载数据手册未分类	+910：￥2.733102	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2204 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.79W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro8™ 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 下载数据手册未分类	+5：￥10.215388 +10：￥9.102851 +50：￥8.627469 +100：￥7.039552 +200：￥6.665279	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2204 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.79W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro8™ 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.334148 +500：￥4.261912 +1000：￥4.225794 +3000：￥4.153559	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2204 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.79W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro8™ 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2204 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.79W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro8™ 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF7726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2204 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.79W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro8™ 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IRF7726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2204 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.79W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro8™ 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： Micro8™

IRF7726TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	26 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	69 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2204 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.79W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Micro8™
封装/外壳:	8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 下载数据手册未分类	+910：￥2.733102	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2204 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.79W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro8™ 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 下载数据手册未分类	+5：￥10.215388 +10：￥9.102851 +50：￥8.627469 +100：￥7.039552 +200：￥6.665279	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2204 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.79W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro8™ 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.334148 +500：￥4.261912 +1000：￥4.225794 +3000：￥4.153559	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2204 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.79W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro8™ 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）