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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF9540NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.597523 +10：￥1.470735 +30：￥1.445378 +100：￥1.369305	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117mOhm 11A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 97 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)
IRF9540NPBF IR 授权代理品牌	MOSFETs 100V 140W DIP TO220AB 23A P-Channel 下载数据手册未分类	+1：￥2.65664	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9540NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.859366 +10：￥1.706119 +30：￥1.675469 +100：￥1.583521	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117mOhm 11A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 97 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9540NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.923788 +10：￥2.934613 +20：￥2.275163 +50：￥1.648625 +100：￥1.566224	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117mOhm 11A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 97 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9540NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.54154	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117mOhm 11A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 97 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF9540NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥2.795665	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117mOhm 11A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 97 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)
IRF9540NPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES 下载数据手册未分类	+100：￥2.236532	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9540NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF9540NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.762429 +1000：￥3.569444 +2950：￥3.473003 +4600：￥3.376563 +6600：￥3.247871	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9540NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB 下载数据手册未分类	+10：￥2.682194 +100：￥2.417643 +500：￥2.32721 +1000：￥2.239941	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117mOhm 11A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 97 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)
IRF9540NPBF International 授权代理品牌	IRF9540NPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 下载数据手册未分类	+1：￥13.306426 +10：￥11.91771 +100：￥8.734276 +500：￥7.215291 +1000：￥6.325195	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

IRF9540NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	23A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	117mOhm 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	97 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1300 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	140W (Tc)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C (TJ)