IPD60R1K4C6ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPD60R1K4C6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.708324 +200：￥1.048143 +500：￥1.011319 +1000：￥0.99307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 1.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28.4W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPD60R1K4C6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 下载数据手册未分类	+13：￥13.149902 +100：￥10.249798 +500：￥8.469939 +1000：￥7.426559	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 1.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28.4W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPD60R1K4C6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 1.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28.4W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD60R1K4C6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.599636 +5000：￥4.380605 +12500：￥4.178461 +25000：￥4.170515	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 1.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28.4W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPD60R1K4C6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.175012 +10：￥9.101426 +100：￥7.076267 +500：￥5.998003 +1000：￥4.886089	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ C6 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD60R1K4C6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.175012 +10：￥9.101426 +100：￥7.076267 +500：￥5.998003 +1000：￥4.886089	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ C6 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD60R1K4C6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IPD60R1K4 - LOW POWER_LEGACY 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C6 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4Ohm 1.1A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28.4W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R1K4C6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥14.050247 +10：￥11.019182 +100：￥8.824819 +500：￥7.625023 +1000：￥6.204211	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 1.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28.4W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R1K4C6ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥3.112518 +5000：￥2.963699 +10000：￥2.831213 +25000：￥2.822137	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R1K4C6ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+2500：￥3.323654 +5000：￥3.305139	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD60R1K4C6ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ C6
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.4 欧姆 1.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	200 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	28.4W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）