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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZ120R045M1XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLSIC MOSFETS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥363.667799 +10：￥202.037693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 20A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 15 V Vgs（最大值）： +20V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 800 V FET 功能：电流检测功率耗散（最大值）： 228W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4-1 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZ120R045M1XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLSIC MOSFETS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥113.256848 +10：￥104.447351 +30：￥99.751963 +90：￥89.189313 +240：￥85.081793	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 20A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 15 V Vgs（最大值）： +20V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 800 V FET 功能：电流检测功率耗散（最大值）： 228W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4-1 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZ120R045M1XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLSIC MOSFETS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥277.056258 +10：￥255.505893 +30：￥244.019732 +90：￥218.180692 +240：￥208.132609	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 20A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 15 V Vgs（最大值）： +20V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 800 V FET 功能：电流检测功率耗散（最大值）： 228W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4-1 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZ120R045M1XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLSIC MOSFETS 下载数据手册晶体管	+1：￥327.636746 +10：￥258.133063 +100：￥234.307924 +480：￥234.143612	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 20A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 15 V Vgs（最大值）： +20V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 800 V FET 功能：电流检测功率耗散（最大值）： 228W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4-1 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZ120R045M1XKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube 下载数据手册未分类	+240：￥185.184752 +250：￥183.328621 +500：￥181.501046 +1000：￥179.687748 +2000：￥177.88873	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IMZ120R045M1XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	托盘
封装/外壳:	*
系列:	CoolSiC™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	59 毫欧 20A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.7V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	52 nC 15 V
Vgs（最大值）:	+20V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1900 pF 800 V
FET 功能:	电流检测
功率耗散（最大值）:	228W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-4-1
封装/外壳:	TO-247-4
温度:	-55°C # 175°C（TJ）