IPP17N25S3100AKSA1厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP17N25S3100AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 17A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.750267 +10：￥21.625067 +30：￥19.756504	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 54µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 107W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP17N25S3100AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 17A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.75528	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 54µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 107W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP17N25S3100AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 17A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.580769 +10：￥19.364366 +100：￥15.562213 +500：￥12.786022 +1000：￥10.594116	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 54µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 107W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP17N25S3100AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 17A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.291496 +10：￥33.46156 +100：￥26.891453 +500：￥22.094203 +1000：￥18.306596	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 54µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 107W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP17N25S3100AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 17A TO-220 下载数据手册晶体管	+1：￥47.413088 +10：￥42.607708 +100：￥34.278382 +500：￥28.031387 +1000：￥21.624213	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 54µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 107W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP17N25S3100AKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥19.02852 +1000：￥18.393366	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP17N25S3100AKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 54µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	19 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1500 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	107W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3-1
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）