IPZ65R019C7XKSA1厂家价格_数据手册

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	IPZ65R019C7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥207.967803 +200：￥80.479344 +500：￥77.660108 +1000：￥76.261417	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 58.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2.92mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 215 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9900 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPZ65R019C7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 58.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2.92mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 215 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9900 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPZ65R019C7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥191.56159 +10：￥176.638521 +100：￥165.393662	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 58.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2.92mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 215 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9900 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPZ65R019C7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥331.017788 +10：￥305.230774 +100：￥285.799696	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 58.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2.92mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 215 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9900 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPZ65R019C7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4 下载数据手册未分类	+1：￥326.194447 +10：￥300.873528 +100：￥256.92261 +500：￥233.258684	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-4 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 19mOhm @ 58.3A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 2.92mA Supplier Device Package： PG-TO247-4 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 9900 pF @ 400 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPZ65R019C7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO247-4 下载数据手册晶体管	+1：￥375.702675 +10：￥333.99372 +25：￥311.609377 +50：￥301.786033 +100：￥276.825075	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 58.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2.92mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 215 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9900 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPZ65R019C7XKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥344.300181 +10：￥324.331414 +25：￥317.084684 +50：￥313.863915 +100：￥289.547111	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPZ65R019C7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ C7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	19 毫欧 58.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 2.92mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	215 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9900 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	446W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-4
封装/外壳:	TO-247-4
温度:	-55°C # 150°C（TJ）