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IRLS3034TRL7PP_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRLS3034TRL7PP
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
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￥45.159015

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￥30.53919

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￥22.417065

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￥16.24425

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￥15.432098

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4mOhm 200A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10990 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 380W (Tc)

工作温度： -

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)

封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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IRLS3034TRL7PP_未分类
IRLS3034TRL7PP
INFINEON(英飞凌)
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MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7

未分类
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￥16.511105

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￥13.757433

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￥12.118342

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4mOhm 200A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10990 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 380W (Tc)

工作温度： -

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)

封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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IRLS3034TRL7PP_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRLS3034TRL7PP
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库存： 1000 +

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品牌： Infineon Technologies

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4mOhm 200A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10990 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 380W (Tc)

工作温度： -

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)

封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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IRLS3034TRL7PP_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRLS3034TRL7PP
INFINEON(英飞凌)
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4mOhm 200A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10990 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 380W (Tc)

工作温度： -

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)

封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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IRLS3034TRL7PP_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRLS3034TRL7PP
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￥31.933904

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￥26.932284

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￥25.585585

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￥24.623779

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

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系列： HEXFET®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4mOhm 200A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10990 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 380W (Tc)

工作温度： -

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)

封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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IRLS3034TRL7PP_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRLS3034TRL7PP
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￥50.908165

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￥45.788668

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￥37.512865

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货期：7~10 天

系列： HEXFET®

工作温度： -

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)

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IRLS3034TRL7PP
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授权代理品牌
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￥45.788668

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￥37.512865

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货期：7~10 天

系列： HEXFET®

工作温度： -

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)

Mouser
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MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7

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晶体管
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￥52.86565

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￥47.538104

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￥33.194711

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￥27.867164

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4mOhm 200A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10990 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 380W (Tc)

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供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)

封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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IRLS3034TRL7PP参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 240A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.4mOhm 200A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 180 nC 4.5 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 10990 pF 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 380W (Tc)
工作温度: -
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: D2PAK (7-Lead)
封装/外壳: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
温度: -