搜索 IRFR5505TRPBF 共 29 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRFR5505TRPBF 授权代理品牌 | +1: ¥3.179572 +10: ¥2.725303 +30: ¥2.384653 +100: ¥2.008167 +500: ¥1.907722 | ||||
IRFR5505TRPBF 授权代理品牌 | +2000: ¥1.765118 | ||||
IRFR5505TRPBF 授权代理品牌 | +10: ¥3.484386 +2500: ¥3.082394 +7500: ¥3.028746 +12500: ¥2.948327 +17500: ¥2.894679 | 暂无参数 | |||
IRFR5505TRPBF 授权代理品牌 | +1: ¥3.345536 +10: ¥2.442589 +100: ¥2.060573 +500: ¥1.910081 +1000: ¥1.794319 | ||||
IRFR5505TRPBF 授权代理品牌 | +1: ¥2.001418 +100: ¥1.948283 +500: ¥1.930571 +1000: ¥1.91286 | ||||
IRFR5505TRPBF | +10: ¥1.983706 +30: ¥1.950645 +50: ¥1.934114 +100: ¥1.901052 | 暂无参数 |
IRFR5505TRPBF参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 55 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 18A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 110 毫欧 9.6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 32 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 650 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 57W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D-Pak |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |