IPDD60R102G7XTMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPDD60R102G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.769657	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 102 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 390µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1320 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 139W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HDSOP-10-1 封装/外壳： 10-PowerSOP 模块温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPDD60R102G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1700：￥18.840971 +3400：￥18.565963	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 102 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 390µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1320 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 139W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HDSOP-10-1 封装/外壳： 10-PowerSOP 模块温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IPDD60R102G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1700：￥32.557134 +3400：￥32.081922	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 102 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 390µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1320 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 139W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HDSOP-10-1 封装/外壳： 10-PowerSOP 模块温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPDD60R102G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥63.015721 +10：￥56.553521 +25：￥53.471928 +100：￥42.775319 +250：￥40.399255	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ G7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 10-PowerSOP Module 供应商器件封装： PG-HDSOP-10-1
IPDD60R102G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ G7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 10-PowerSOP Module 供应商器件封装： PG-HDSOP-10-1

Mouser

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	IPDD60R102G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 102 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 390µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1320 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 139W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HDSOP-10-1 封装/外壳： 10-PowerSOP 模块温度： -55°C # 150°C（TJ）

IPDD60R102G7XTMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ G7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	23A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	102 毫欧 7.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 390µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	34 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1320 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	139W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HDSOP-10-1
封装/外壳:	10-PowerSOP 模块
温度:	-55°C # 150°C（TJ）