IPD30N10S3L34ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPD30N10S3L34ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.196986 +10：￥11.217426 +30：￥9.237866 +100：￥8.248086 +500：￥7.588273	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 29µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1976 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 57W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPD30N10S3L34ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.829234 +10：￥7.572598 +30：￥6.873253 +100：￥4.971908 +500：￥4.622235	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 29µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1976 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 57W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD30N10S3L34ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.91314	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 29µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1976 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 57W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD30N10S3L34ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 下载数据手册未分类	+2500：￥14.041677	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 29µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1976 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 57W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD30N10S3L34ATMA1 UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IPD30N10S3L34ATMA1 UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥1.799412 +1000：￥1.741994 +2000：￥1.655404	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IPD30N10S3L34ATMA1 授权代理品牌	IPD30N10S3L34ATMA1 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥2.217083 +1000：￥2.145426 +2000：￥2.05872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IPD30N10S3L34ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 29µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1976 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 57W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD30N10S3L34ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.331931 +5000：￥3.1733 +12500：￥3.026819	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 29µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1976 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 57W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPD30N10S3L34ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥8.150785 +5000：￥7.762733 +12500：￥7.404401	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 29µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1976 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 57W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPD30N10S3L34ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.716872 +10：￥16.116399 +100：￥12.540216 +500：￥10.628824 +1000：￥8.658421	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

IPD30N10S3L34ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	31 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 29µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	31 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1976 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	57W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3-11
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）