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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH16N120P 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥112.441608 +200：￥43.512389 +500：￥41.993499 +1000：￥41.22859	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH16N120P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥136.44586 +10：￥125.395252 +100：￥105.903079 +500：￥94.208301	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 950 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH16N120P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥235.77799 +10：￥216.682576 +100：￥183.000168 +500：￥162.791629	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 950 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH16N120P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD 下载数据手册未分类	+1：￥276.360964 +10：￥254.071649 +30：￥243.45769 +120：￥214.401977	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 950 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH16N120P 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+30：￥202.541131 +120：￥179.356897	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXFH16N120P 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+300：￥186.54794 +500：￥184.687962 +1000：￥182.841082 +2000：￥181.007301 +2500：￥179.199717	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFH16N120P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	950 毫欧 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	6.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	120 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6900 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	660W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AD（IXFH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）