IPP50R190CEXKSA1厂家价格_数据手册

搜索 IPP50R190CEXKSA1 共 6 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP50R190CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.180241	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 6.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 510µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1137 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 127W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP50R190CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.989166 +10：￥15.249146 +100：￥12.257546 +500：￥10.071013 +1000：￥8.344557	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 6.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 510µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1137 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 127W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP50R190CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.357221 +10：￥26.350474 +100：￥21.180998 +500：￥17.402677 +1000：￥14.419367	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 6.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 510µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1137 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 127W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPP50R190CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IPP50R190 - 500V, 0.19OHM, N-CHA 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 190mOhm @ 6.2A, 13V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 510µA Supplier Device Package： PG-TO220-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 13V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 47.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1137 pF @ 100 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP50R190CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥32.332804 +10：￥26.944002 +100：￥21.396708 +250：￥19.653274 +500：￥17.909837	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 6.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 510µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1137 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 127W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP50R190CEXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥15.237209 +1000：￥14.701271	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP50R190CEXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ CE
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	190 毫欧 6.2A，13V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 510µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	47.2 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1137 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	127W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）