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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR3410TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.906223 +10：￥1.83456 +100：￥1.66257 +500：￥1.576575	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRLR3410TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=114mΩ@10V TO252 下载数据手册未分类	+1：￥1.800184	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IRLR3410TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.39122 +200：￥4.32212 +500：￥3.17262 +2000：￥2.299 +4000：￥2.18405	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR3410TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.84592	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLR3410TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLR3410TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.010486 +50：￥1.930067 +200：￥1.849647 +2500：￥1.801375 +7500：￥1.737081	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR3410TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRLR3410TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥3.769068 +100：￥1.467155 +1000：￥1.201549	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR3410TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRLR3410TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥1.444716 +1000：￥1.38151 +2000：￥1.319693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR3410TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.197635 +30：￥2.142648 +100：￥2.087777	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR3410TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥2.153183 +4000：￥2.117297 +6000：￥2.063466 +10000：￥2.02758	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR3410TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥2.570437 +6000：￥2.448018 +10000：￥2.335003	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRLR3410TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	105 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	34 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	79W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLR3410TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLR3410TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.010486 +50：￥1.930067 +200：￥1.849647 +2500：￥1.801375 +7500：￥1.737081	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR3410TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRLR3410TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥3.769068 +100：￥1.467155 +1000：￥1.201549	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR3410TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRLR3410TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥1.444716 +1000：￥1.38151 +2000：￥1.319693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR3410TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.197635 +30：￥2.142648 +100：￥2.087777	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR3410TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥2.153183 +4000：￥2.117297 +6000：￥2.063466 +10000：￥2.02758	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）