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IXFB70N100X_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET 1KV 70A ULTRA JCT PLUS247

晶体管-FET,MOSFET-单个

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¥525.899217

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¥485.025855

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¥463.233339

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¥408.733633

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¥381.484345

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 89 毫欧 35A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 350 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9160 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1785W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PLUS264™

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXFB70N100X_未分类
IXFB70N100X
授权代理品牌

MOSFET 1KV 70A ULTRA JCT PLUS247

未分类

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 89 毫欧 35A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 350 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9160 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1785W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PLUS264™

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IXFB70N100X参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Ultra X
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 89 毫欧 35A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 350 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9160 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1785W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PLUS264™
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
温度: -55°C # 150°C(TJ)