IPZ40N04S58R4ATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPZ40N04S58R4ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 8TDSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.184328 +10：￥6.789552 +30：￥5.65796	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.4 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 771 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPZ40N04S58R4ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 8TDSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.074433	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.4 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 771 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPZ40N04S58R4ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 8TDSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.4 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 771 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPZ40N04S58R4ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 8TDSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥4.669599 +10000：￥4.323816 +25000：￥4.280967	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.4 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 771 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPZ40N04S58R4ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 8TDSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.040371 +10：￥11.234781 +100：￥7.782665 +500：￥6.502991 +1000：￥5.53442	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32
IPZ40N04S58R4ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 8TDSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.040371 +10：￥11.234781 +100：￥7.782665 +500：￥6.502991 +1000：￥5.53442	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPZ40N04S58R4ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 8TDSON 下载数据手册晶体管	+1：￥14.701926 +10：￥12.818758 +100：￥8.887233 +500：￥7.41704 +1000：￥5.632986	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.4 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 771 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPZ40N04S58R4ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.4 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.4V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	771 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	34W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TSDSON-8-32
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）