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	IRF6645TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥17.222544 +100：￥12.760704 +300：￥9.850464 +500：￥8.364528 +1000：￥7.523136	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 5.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ SJ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 SJ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF6645TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.564193 +10：￥23.318794 +30：￥21.384667	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 5.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ SJ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 SJ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IRF6645TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.393091	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 5.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ SJ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 SJ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6645TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥17.952313 +10：￥15.492732 +100：￥12.246957 +500：￥10.063445 +1000：￥9.57689	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 5.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ SJ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 SJ 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRF6645TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+4800：￥6.025219	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 5.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ SJ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 SJ 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRF6645TRPBF International 授权代理品牌	IRF6645TRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF6645TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.875917 +500：￥4.794652 +1000：￥4.754019 +3000：￥4.672753	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 5.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ SJ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 SJ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6645TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 5.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ SJ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 SJ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF6645TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥5.664949 +9600：￥5.447061	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 5.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ SJ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 SJ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6645TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥9.789013 +9600：￥9.412504	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 5.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ SJ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 SJ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IRF6645TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.7A（Ta），25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	35 毫欧 5.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.9V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	890 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.2W（Ta），42W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DIRECTFET™ SJ
封装/外壳:	DirectFET™ 等容 SJ
温度:	-40°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6645TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥17.952313 +10：￥15.492732 +100：￥12.246957 +500：￥10.063445 +1000：￥9.57689	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 5.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ SJ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 SJ 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRF6645TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+4800：￥6.025219	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 5.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ SJ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 SJ 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRF6645TRPBF International 授权代理品牌	IRF6645TRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF6645TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.875917 +500：￥4.794652 +1000：￥4.754019 +3000：￥4.672753	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 5.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 890 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ SJ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 SJ 温度： -40°C # 150°C（TJ）