IRFS3806TRLPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3806TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.89752 +10：￥12.4146 +30：￥9.93168 +100：￥8.2764	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3806TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.368431 +10：￥17.877014 +30：￥16.390905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFS3806TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.35196	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFS3806TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥4.240946 +1600：￥3.454688 +2400：￥3.252136 +5600：￥3.097309	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS3806TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥10.374476 +1600：￥8.451081 +2400：￥7.955585 +5600：￥7.576837	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS3806TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.292112 +10：￥15.731584 +100：￥12.239144	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
IRFS3806TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.292112 +10：￥15.731584 +100：￥12.239144	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

Mouser

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	IRFS3806TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK 下载数据手册晶体管	+1：￥21.787036 +10：￥17.884881 +100：￥14.015243 +500：￥11.885317 +800：￥9.674094	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3806TRLPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+3200：￥9.029364 +4000：￥8.99224 +8000：￥8.90229 +12000：￥8.81234 +16000：￥8.725244	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3806TRLPBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+26：￥11.057762 +50：￥10.82888 +100：￥8.720682 +200：￥8.229841 +500：￥6.064424	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFS3806TRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	15.8 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	30 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1150 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	71W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）