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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW120R090M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥80.6344	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117 毫欧 8.5A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 3.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 18 V Vgs（最大值）： +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 707 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 115W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-41 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW120R090M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥54.78457 +30：￥43.726439 +120：￥39.124068 +510：￥34.521464 +1020：￥31.069276	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117 毫欧 8.5A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 3.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 18 V Vgs（最大值）： +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 707 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 115W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-41 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW120R090M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥134.017574 +30：￥106.966457 +120：￥95.707837 +510：￥84.448646 +1020：￥76.003682	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117 毫欧 8.5A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 3.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 18 V Vgs（最大值）： +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 707 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 115W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-41 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW120R090M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥145.035793 +10：￥142.422537 +25：￥107.306888 +100：￥102.40703 +240：￥101.590386	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117 毫欧 8.5A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 3.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 18 V Vgs（最大值）： +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 707 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 115W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-41 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW120R090M1HXKSA1 授权代理品牌	1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET 下载数据手册未分类	+1：￥168.715087 +10：￥150.427517 +100：￥122.09339 +240：￥120.8682	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥102.734305 +10：￥101.845168 +25：￥86.870232 +100：￥85.559923 +240：￥85.169951	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW120R090M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2KV, 26A, 175度 C, 115W 下载数据手册未分类	+1：￥82.334539 +5：￥78.299786 +10：￥74.277845 +50：￥70.243094 +100：￥66.221152	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW120R090M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥66.092641 +10：￥58.963115 +50：￥57.228905 +100：￥55.494695	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IMW120R090M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥63.452789 +10：￥62.903622 +25：￥53.654507 +100：￥52.84521 +240：￥52.604347	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW120R090M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 1.2KV, 26A, 175DEG C, 115W 下载数据手册未分类	+1：￥87.900034 +5：￥76.901838 +10：￥65.90364 +50：￥64.840476 +100：￥63.777322	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IMW120R090M1HXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolSiC™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	117 毫欧 8.5A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.7V 3.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	21 nC 18 V
Vgs（最大值）:	+23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	707 pF 800 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	115W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3-41
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）