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自营 现货库存
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IXFX98N50P3_未分类
IXFX98N50P3
授权代理品牌
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¥267.291951

+210:

¥106.661082

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¥103.087865

+990:

¥101.328575

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
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IXFX98N50P3_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥68.3397

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¥62.820401

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¥60.215384

+100:

¥52.077168

+250:

¥50.449757

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Polar3™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 98A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 197 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1300W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PLUS247™-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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IXFX98N50P3_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥167.177015

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¥153.675345

+25:

¥147.302784

+100:

¥127.394552

+250:

¥123.413473

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Polar3™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 98A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 197 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1300W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PLUS247™-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXFX98N50P3_晶体管
IXFX98N50P3
授权代理品牌

MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247

晶体管

+1:

¥289.344759

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¥254.949412

+30:

¥248.102943

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¥234.083986

+120:

¥220.39105

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Polar3™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 98A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 197 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1300W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PLUS247™-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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IXFX98N50P3_未分类
IXFX98N50P3
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 500V 98A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247

未分类

+30:

¥165.980936

+50:

¥164.310418

+100:

¥138.181806

+250:

¥133.984093

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFX98N50P3_未分类
IXFX98N50P3
授权代理品牌
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¥250.473727

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¥196.598246

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXFX98N50P3参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Polar3™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 98A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 197 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13100 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1300W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PLUS247™-3
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)