IPL65R130C7AUMA1厂家价格_数据手册

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	IPL65R130C7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥89.414039 +10：￥59.60944 +30：￥49.674493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 4.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 440µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 102W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPL65R130C7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥46.014734 +10：￥40.452754 +30：￥37.0653 +100：￥34.22421	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 4.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 440µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 102W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPL65R130C7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.027369	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 4.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 440µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 102W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPL65R130C7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 4.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 440µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 102W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPL65R130C7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥16.481502	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 4.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 440µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 102W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPL65R130C7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥40.318121	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 4.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 440µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 102W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPL65R130C7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥82.837687 +10：￥69.540058 +100：￥56.258417 +500：￥50.006933 +1000：￥42.81851	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ C7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-PowerTSFN 供应商器件封装： PG-VSON-4
IPL65R130C7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥82.837687 +10：￥69.540058 +100：￥56.258417 +500：￥50.006933 +1000：￥42.81851	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ C7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-PowerTSFN 供应商器件封装： PG-VSON-4

Mouser

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	IPL65R130C7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON 下载数据手册晶体管	+1：￥73.762812 +10：￥68.446574 +25：￥66.286851 +100：￥60.804481 +250：￥59.309288	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 4.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 440µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 102W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL65R130C7AUMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥45.711902	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPL65R130C7AUMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ C7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	130 毫欧 4.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 440µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	35 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1670 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	102W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-VSON-4
封装/外壳:	4-PowerTSFN
温度:	-40°C # 150°C（TJ）