IPW60R041P6FKSA1厂家价格_数据手册

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	IPW60R041P6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥150.512217 +210：￥60.056276 +510：￥58.056586 +990：￥57.062204	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 77.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 35.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.96mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8180 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 481W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPW60R041P6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥74.7054	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 77.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 35.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.96mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8180 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 481W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPW60R041P6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 77.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 35.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.96mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8180 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 481W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPW60R041P6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥89.304905 +10：￥82.05974 +100：￥70.863616	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 77.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 35.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.96mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8180 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 481W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPW60R041P6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥218.463459 +10：￥200.739867 +100：￥173.35118	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 77.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 35.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.96mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8180 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 481W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPW60R041P6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥168.741266 +30：￥136.590564 +120：￥128.556454 +510：￥116.50422 +1020：￥106.862575	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 77.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 41mOhm @ 35.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 2.96mA Supplier Device Package： PG-TO247-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 8180 pF @ 100 V

Mouser

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	IPW60R041P6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥192.895763 +10：￥170.067861 +25：￥169.904805 +50：￥165.339225 +100：￥147.076904	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 77.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 35.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.96mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8180 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 481W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPW60R041P6FKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+240：￥125.342982 +250：￥123.354053 +500：￥119.985056 +1000：￥119.119129 +2000：￥118.239671	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPW60R041P6FKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+240：￥125.238813	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPW60R041P6FKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥153.85129 +10：￥112.32088 +25：￥79.190939 +50：￥79.002167 +100：￥70.318535	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPW60R041P6FKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P6
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	77.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	41 毫欧 35.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 2.96mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	170 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8180 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	481W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）