IRF150P220XKMA1厂家价格_数据手册

搜索 IRF150P220XKMA1 共 7 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF150P220XKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	TRENCH_MOSFETS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥205.42896 +10：￥171.1908 +30：￥136.95264 +100：￥114.1272	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 203A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.6V 265µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12000 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C 安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF150P220XKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	TRENCH_MOSFETS 下载数据手册	+1：￥93.001995 +10：￥89.308578 +30：￥82.89427 +100：￥77.299508	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 203A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.6V 265µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12000 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C 安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF150P220XKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	TRENCH_MOSFETS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥72.348078	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 203A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.6V 265µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12000 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C 安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF150P220XKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	TRENCH_MOSFETS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 203A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.6V 265µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12000 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C 安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF150P220XKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	TRENCH_MOSFETS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 203A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.6V 265µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12000 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C 安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF150P220XKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	TRENCH_MOSFETS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 203A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.6V 265µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12000 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C 安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF150P220XKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	TRENCH_MOSFETS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 203A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.6V 265µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12000 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C 安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C

IRF150P220XKMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	StrongIRFET™
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	203A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.7 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.6V 265µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	200 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	12000 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	556W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C