锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 IMZ2AT1085 条相关记录
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IMZ2AT108_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT

双极晶体管预偏置

+3000:

¥0.62527

+6000:

¥0.587406

+15000:

¥0.549488

+30000:

¥0.536271

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA, 500mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 300mW

频率 - 跃迁: 180MHz,140MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IMZ2AT108_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT

双极晶体管预偏置

+3000:

¥1.529577

+6000:

¥1.43695

+15000:

¥1.344192

+30000:

¥1.31186

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA, 500mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 300mW

频率 - 跃迁: 180MHz,140MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度: 150°C(TJ)

IMZ2AT108_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT

双极晶体管预偏置

+1:

¥5.167933

+10:

¥4.240356

+100:

¥2.882118

+500:

¥2.162051

+1000:

¥1.621407

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SC-74, SOT-457

供应商器件封装: SMT6

IMZ2AT108_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT

双极晶体管预偏置

+1:

¥5.167933

+10:

¥4.240356

+100:

¥2.882118

+500:

¥2.162051

+1000:

¥1.621407

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SC-74, SOT-457

供应商器件封装: SMT6

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IMZ2AT108_未分类
IMZ2AT108
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT

未分类

+1:

¥5.464149

+10:

¥4.494263

+100:

¥3.059924

+500:

¥2.294943

+1000:

¥1.721207

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA, 500mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 300mW

频率 - 跃迁: 180MHz,140MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度: 150°C(TJ)

IMZ2AT108参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA, 500mV 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V
功率 - 最大值: 300mW
频率 - 跃迁: 180MHz,140MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-74,SOT-457
供应商器件封装: SMT6
温度: 150°C(TJ)