IMZ120R090M1HXKSA1厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IMZ120R090M1HXKSA1 共 3 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZ120R090M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥88.935	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117 毫欧 8.5A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 3.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 18 V Vgs（最大值）： +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 707 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 115W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4-1 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZ120R090M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥192.602306 +10：￥176.979667 +100：￥149.465633 +500：￥132.9602 +1000：￥121.956487	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117 毫欧 8.5A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 3.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 18 V Vgs（最大值）： +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 707 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 115W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4-1 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZ120R090M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117 毫欧 8.5A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 3.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 18 V Vgs（最大值）： +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 707 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 115W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4-1 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IMZ120R090M1HXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolSiC™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	117 毫欧 8.5A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.7V 3.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	21 nC 18 V
Vgs（最大值）:	+23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	707 pF 800 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	115W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-4-1
封装/外壳:	TO-247-4
温度:	-55°C # 175°C（TJ）