耐压： 100V

电流： 90A

类型： P沟道

漏源电压(Vdss)： 100V

连续漏极电流(Id)： 90A

功率(Pd)： 462W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 25mΩ@45A,10V

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA

品牌： IXYS

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： PolarP™

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 45A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5800 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 462W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-268AA

封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： IXYS

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： PolarP™

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 45A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5800 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 462W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-268AA

封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： IXYS

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： PolarP™

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 45A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5800 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 462W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-268AA

封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）