IPD350N06LGBTMA1厂家价格_数据手册

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	IPD350N06LGBTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.9696 +10：￥5.92416 +30：￥4.87872 +100：￥4.356 +500：￥4.00752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 29A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 28µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD350N06LGBTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.141435 +10：￥3.409308 +30：￥3.048708 +100：￥2.688108 +500：￥2.469563	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 29A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 28µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD350N06LGBTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥3.368573 +500：￥3.241119 +1000：￥3.171893 +3000：￥3.089354	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 29A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 28µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD350N06LGBTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.303927 +5000：￥2.133698 +7500：￥2.064593	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 29A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 28µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD350N06LGBTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.636018 +5000：￥5.219589 +7500：￥5.05054	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 29A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 28µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD350N06LGBTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.41809 +10：￥13.478098 +100：￥8.948172 +500：￥7.001573 +1000：￥6.374178	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD350N06LGBTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.41809 +10：￥13.478098 +100：￥8.948172 +500：￥7.001573 +1000：￥6.374178	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD350N06LGBTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 29A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 28µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥6.237998 +10：￥5.908862 +25：￥5.77159 +100：￥5.437774 +250：￥5.344181	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD350N06LGBTMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥2.857623 +5000：￥2.754252 +12500：￥2.647988 +25000：￥2.619969	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD350N06LGBTMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	35 毫欧 29A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 28µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	800 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	68W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）