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IRFU4615PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFU4615PBF
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¥14.25501

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¥10.66131

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¥5.9895

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¥5.690025

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 42 毫欧 21A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 26 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1750 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 144W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: IPAK(TO-251AA)

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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IRFU4615PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

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系列: HEXFET®

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 42 毫欧 21A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 26 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1750 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 144W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: IPAK(TO-251AA)

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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库存: 1000 +

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品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

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不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 26 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1750 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 144W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

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封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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IRFU4615PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥5.959644

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 42 毫欧 21A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 26 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1750 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 144W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: IPAK(TO-251AA)

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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¥29.725092

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¥26.643998

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¥21.415639

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¥17.595084

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¥14.578869

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 42 毫欧 21A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 26 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1750 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 144W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: IPAK(TO-251AA)

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

IRFU4615PBF_未分类
IRFU4615PBF
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MOSFET N-CH 150V 33A IPAK

未分类

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¥26.413735

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¥23.758533

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¥19.092566

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¥15.686163

+1000:

¥12.997217

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tube

Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 144W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA

Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V

Mouser
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IRFU4615PBF_晶体管
IRFU4615PBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 150V 33A IPAK

晶体管

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¥31.235931

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¥28.128692

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¥22.731909

+500:

¥18.643436

+1000:

¥14.309655

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 42 毫欧 21A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 26 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1750 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 144W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: IPAK(TO-251AA)

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
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IRFU4615PBF_未分类
IRFU4615PBF
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

未分类

+3000:

¥9.767088

+5000:

¥9.623394

+10000:

¥9.534965

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IRFU4615PBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 42 毫欧 21A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 26 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1750 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 144W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: IPAK(TO-251AA)
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
温度: -55°C # 175°C(TJ)