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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW120R140M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLSIC MOSFETS 1200V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥57.857069 +10：￥52.285649 +100：￥43.287397 +500：￥40.531223	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 182 毫欧 6A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 18 V Vgs（最大值）： +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 454 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-41 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW120R140M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLSIC MOSFETS 1200V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥141.533723 +10：￥127.90455 +100：￥105.892442 +500：￥99.15011	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 182 毫欧 6A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 18 V Vgs（最大值）： +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 454 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-41 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW120R140M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLSIC MOSFETS 1200V 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 182 毫欧 6A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 18 V Vgs（最大值）： +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 454 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-41 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW120R140M1HXKSA1 授权代理品牌	SIC DISCRETE 下载数据手册未分类	+240：￥83.925673 +250：￥83.083274 +500：￥82.255155 +1000：￥81.427034 +2000：￥80.613193	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IMW120R140M1HXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolSiC™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	182 毫欧 6A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.7V 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13 nC 18 V
Vgs（最大值）:	+23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	454 pF 800 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	94W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3-41
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）