IPN80R1K4P7ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.28392 +10：￥8.18928 +30：￥6.8244	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.64847 +30：￥10.796143	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.70461	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.7676 +6000：￥2.629199 +15000：￥2.530358	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.770282 +6000：￥6.431718 +15000：￥6.189927	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.935871 +10：￥14.269849 +100：￥11.123239 +500：￥9.188046 +1000：￥7.253865	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223
IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.935871 +10：￥14.269849 +100：￥11.123239 +500：￥9.188046 +1000：￥7.253865	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223

Mouser

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	IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223 下载数据手册晶体管	+1：￥18.217014 +10：￥16.312509 +100：￥12.602862 +500：￥10.516187 +1000：￥8.297022	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPN80R1K4P7ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥7.206579	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPN80R1K4P7ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.4 欧姆 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 70µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	250 pF 500 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	7W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）