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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7807ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.10968 +10：￥10.0914 +30：￥8.07312 +100：￥6.7276	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.8 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7807ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.557028	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.8 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7807ZTRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRF7807ZTRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥0.814157 +1000：￥0.765422 +2000：￥0.725831	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7807ZTRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7807ZTRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.271072 +4000：￥1.196869 +12000：￥1.143966 +24000：￥1.112246	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7807ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 下载数据手册未分类	+4000：￥3.073945 +8000：￥2.965574 +12000：￥2.859103 +16000：￥2.807598 +20000：￥2.729392	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.8 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7807ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 下载数据手册未分类	+5：￥6.195417 +50：￥5.34235 +100：￥4.116003 +200：￥4.105451 +500：￥3.231032	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.8 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7807ZTRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7807ZTRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.471688 +100：￥1.412766 +400：￥1.353958 +4000：￥1.318535 +12000：￥1.271535	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7807ZTRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF7807ZTRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥0.771673 +12000：￥0.758245 +20000：￥0.738102 +36000：￥0.704647	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7807ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+146：￥5.695505 +500：￥4.497135 +1000：￥3.594985 +30000：￥3.258396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.8 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF7807ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.769628 +8000：￥1.676477 +12000：￥1.552296 +28000：￥1.536926	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.8 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7807ZTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	13.8 毫欧 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.25V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	770 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7807ZTRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRF7807ZTRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥0.814157 +1000：￥0.765422 +2000：￥0.725831	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7807ZTRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7807ZTRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.271072 +4000：￥1.196869 +12000：￥1.143966 +24000：￥1.112246	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7807ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 下载数据手册未分类	+4000：￥3.073945 +8000：￥2.965574 +12000：￥2.859103 +16000：￥2.807598 +20000：￥2.729392	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.8 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7807ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 下载数据手册未分类	+5：￥6.195417 +50：￥5.34235 +100：￥4.116003 +200：￥4.105451 +500：￥3.231032	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.8 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7807ZTRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7807ZTRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.471688 +100：￥1.412766 +400：￥1.353958 +4000：￥1.318535 +12000：￥1.271535	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7807ZTRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF7807ZTRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥0.771673 +12000：￥0.758245 +20000：￥0.738102 +36000：￥0.704647	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7807ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+146：￥5.695505 +500：￥4.497135 +1000：￥3.594985 +30000：￥3.258396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.8 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）