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	IRLL2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.657444	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRLL2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.75167 +200：￥3.213397 +800：￥2.358774 +2500：￥1.709246 +5000：￥1.62382	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRLL2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.403246	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRLL2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.143922 +10：￥1.864934 +100：￥1.775797	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLL2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.805895 +100：￥1.775797 +500：￥1.745699 +1000：￥1.7156	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLL2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.736438 +5000：￥1.707497 +7500：￥1.664086 +12500：￥1.635145	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLL2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.889244 +100：￥1.857757 +1000：￥1.842013 +3000：￥1.810526	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLL2705TRPBF 授权代理品牌	IRLL2705TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.632251 +25：￥1.591503 +50：￥1.550639 +100：￥1.509891 +200：￥1.482686	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLL2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.023413 +5000：￥2.006628 +7500：￥1.972825 +10000：￥1.939138	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLL2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.297924 +5000：￥2.127631 +7500：￥2.040827 +12500：￥2.03326	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRLL2705TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	48 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	870 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLL2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.143922 +10：￥1.864934 +100：￥1.775797	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLL2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.805895 +100：￥1.775797 +500：￥1.745699 +1000：￥1.7156	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLL2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.736438 +5000：￥1.707497 +7500：￥1.664086 +12500：￥1.635145	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLL2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.889244 +100：￥1.857757 +1000：￥1.842013 +3000：￥1.810526	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLL2705TRPBF 授权代理品牌	IRLL2705TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.632251 +25：￥1.591503 +50：￥1.550639 +100：￥1.509891 +200：￥1.482686	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLL2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.023413 +5000：￥2.006628 +7500：￥1.972825 +10000：￥1.939138	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）