IPW60R070C6FKSA1厂家价格_数据手册

搜索 IPW60R070C6FKSA1 共 9 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R070C6FKSA1 授权代理品牌	IPW60R070C6FKSA1 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+240：￥76.40325 +480：￥75.129863 +720：￥73.856475 +960：￥72.583088	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R070C6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 53A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥18.409883 +20：￥16.875743 +50：￥16.108673 +100：￥15.341603	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 53A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 25.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1.72mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3800 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 391W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-1 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R070C6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 53A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥45.03545 +20：￥41.282538 +50：￥39.406081 +100：￥37.529625	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 53A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 25.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1.72mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3800 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 391W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-1 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPW60R070C6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥145.795995 +30：￥86.161914 +120：￥73.062458 +510：￥68.817088	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 70mOhm @ 25.8A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 1.72mA Supplier Device Package： PG-TO247-3-1 Part Status： Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3800 pF @ 100 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R070C6FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 53A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥156.045026 +10：￥142.612882 +25：￥95.351636 +100：￥80.924519 +240：￥77.773769	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 53A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 25.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1.72mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3800 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 391W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-1 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R070C6FKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+240：￥66.445964 +480：￥65.532777	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPW60R070C6FKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥107.750963 +10：￥79.489965 +25：￥55.576814 +100：￥49.527635 +250：￥49.055043	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
IPW60R070C6FKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥69.121297	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
IPW60R070C6FKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+240：￥46.190407	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPW60R070C6FKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	53A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 25.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 1.72mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	170 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3800 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	391W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3-1
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）