IPW65R080CFDFKSA1厂家价格_数据手册

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	IPW65R080CFDFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥90.86025 +10：￥87.385378 +30：￥81.37538	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 17.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.76mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5030 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 391W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-1 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPW65R080CFDFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥49.419425	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 17.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.76mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5030 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 391W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-1 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPW65R080CFDFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥68.02461 +10：￥61.438541 +100：￥50.863655 +500：￥44.291235 +1000：￥38.576224	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 17.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.76mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5030 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 391W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-1 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPW65R080CFDFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥166.40622 +10：￥150.294949 +100：￥124.425976 +500：￥108.348095 +1000：￥94.367664	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 17.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.76mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5030 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 391W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-1 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPW65R080CFDFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥145.789697 +10：￥124.924252	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 43.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 80mOhm @ 17.6A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 1.76mA Supplier Device Package： PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5030 pF @ 100 V

Mouser

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	IPW65R080CFDFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥178.551154 +10：￥156.85338 +25：￥135.48687 +100：￥129.855385 +240：￥129.689753	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 17.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.76mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5030 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 391W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-1 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW65R080CFDFKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥195.850092 +10：￥179.652692 +25：￥171.590427 +50：￥161.967724 +100：￥154.310017	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPW65R080CFDFKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	43.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	80 毫欧 17.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1.76mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	170 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5030 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	391W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3-1
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）