IMZ120R220M1HXKSA1厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZ120R220M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLSIC MOSFETS 1200V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥90.820422	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 4A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 1.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 18 V Vgs（最大值）： +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 289 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4-1 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZ120R220M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLSIC MOSFETS 1200V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥175.535819 +10：￥158.534771 +100：￥131.252342 +500：￥122.894908	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 4A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 1.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 18 V Vgs（最大值）： +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 289 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4-1 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZ120R220M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLSIC MOSFETS 1200V 下载数据手册晶体管	+1：￥109.944582 +10：￥104.14057 +25：￥66.165744 +100：￥59.200929 +240：￥59.035101	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 4A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 1.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 18 V Vgs（最大值）： +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 289 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4-1 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+240：￥55.038865 +480：￥49.265666	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2KV, 13A, 175度 C, 75W 下载数据手册未分类	+1：￥48.335423 +5：￥43.505684 +10：￥38.650592 +50：￥38.485797 +100：￥38.321004	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥35.569392 +10：￥35.473258	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+240：￥34.185069 +480：￥30.59929	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+240：￥37.494101 +480：￥36.814449 +720：￥36.474624 +960：￥36.248074 +1200：￥35.455146	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 1.2KV, 13A, 175DEG C, 75W 下载数据手册未分类	+1：￥53.02925 +5：￥47.722596 +10：￥42.403515 +50：￥41.794556 +100：￥41.185595	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 13 A, TO-247-4, 通孔安装, 4引脚下载数据手册未分类	+8：￥45.345745 +15：￥43.088885	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IMZ120R220M1HXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolSiC™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	220 毫欧 4A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.7V 1.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.5 nC 18 V
Vgs（最大值）:	+23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	289 pF 800 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	75W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-4-1
封装/外壳:	TO-247-4
温度:	-55°C # 175°C（TJ）